晟鼎小講堂丨微波PLASMA在引線鍵合中的應(yīng)用

微波PLASMA在引線鍵合中的應(yīng)用

引線鍵合是半導(dǎo)體封裝中應(yīng)用最廣泛的一種鍵合技術(shù)，目的是將芯片的輸入輸出端，與引線框架進(jìn)行連接。

引線鍵合過程中，你是否受到“鍵合分離”的困擾呢？

半導(dǎo)體器件鍵合分離是較為常見的失效模式之一。這種失效模式用常規(guī)篩選和測試很難剔除，只有強(qiáng)烈震動(dòng)下才可能暴露出來，因此對半導(dǎo)體器件的可靠性危害極大。可能影響內(nèi)引線鍵合可靠性的因素有：

1.鍵合區(qū)接觸電阻增加

鍵合區(qū)光刻膠或鈍化膜未去除干凈，導(dǎo)致接觸電阻增加，使鍵合可靠性降低。

2.引線框架氧化

引線框架一般采用銅材料，易與空氣中的水分子、氧元素發(fā)生化學(xué)反，從而產(chǎn)生氧化膜。

3.制程中的污染

外界環(huán)境造成的灰塵沾污、人體新陳代謝可能造成有機(jī)物沾污及鈉沾污。

在引線鍵合前，進(jìn)行等離子清洗，可有效清除鍵合區(qū)光刻膠，引線框架氧化膜、制程中的有機(jī)污染物等，從而達(dá)到提高鍵合強(qiáng)度，減少鍵合分離的目的。

微波PLASMA解決方案

01  微波PLASMA清除殘余光刻膠

利用微波源振蕩產(chǎn)生的高頻交變電磁場將工藝氣體離子化，與光刻膠產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，達(dá)到良好的去膠效果，從而降低接觸電阻，使鍵合可靠性增加。

02  微波PLASMA處理引線框架氧化

03  微波PLASMA去除有機(jī)污染物

微波PLASMA可去除外界環(huán)境造成的灰塵沾污、人體新陳代可能造成有機(jī)物沾污及鈉沾污、芯片管殼等來料殘留鍍金液等污染。

鍵合區(qū)表面附著的有機(jī)物與氧氣反應(yīng)，產(chǎn)生二氧化碳和水蒸汽排出。

鍵合區(qū)表面附著的有機(jī)物與氫氣反應(yīng)，產(chǎn)生甲烷和乙烷氣體排出。

晟鼎微波PLASMA處理效果

結(jié)論：微波Plasma處理引線框架，不但使水滴角降低，還能還原金屬原有的光澤。

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