在半導體器件的制造中，歐姆接觸是實現(xiàn)高性能電路的核心技術之一。
RTP技術能夠有效修復晶格損傷，提供更加穩(wěn)定、均勻的歐姆接觸，確保器件的穩(wěn)定性和可靠性。
一、氮化鎵（GaN）歐姆接觸
氮化鎵（GaN）材料因其寬禁帶和高擊穿場強的特性，在功率電子和射頻器件中備受關注，但其歐姆接觸的形成極具挑戰(zhàn)：
1.高勢壘問題
GaN的寬禁帶性導致金屬與半導體界面存在高勢壘，傳統(tǒng)退火工藝無法有效降低接觸電阻
2.金屬選擇局限
傳統(tǒng)金屬（如Ti/Al/Ni/Au）需通過退火觸發(fā)化學反應，形成低勢壘合金（如TiN、AlGaN等）
3.熱敏感性與工藝失衡
GaN在高溫下易分解，而低溫又無法激活金屬/GaN界面反應
良好的歐姆接觸圖形邊緣應保持平整，電極之間不應存在導致短路的金屬粘合，退火完成后不會出現(xiàn)金屬的側流。
*（左）退火前歐姆接觸形態(tài) （右）退火后歐姆接觸形態(tài)（圖源網(wǎng)絡，侵刪）
在對GaN歐姆接觸進行退火處理時，退火溫度的控制尤為重要，溫度精準度差會導致電阻率的增加以及電流的減小。
*比接觸電阻率與退火溫度的函數(shù)關系（圖源：知網(wǎng)，侵刪）
其中，退火溫度過高可能導致氮化鎵材料的損傷或金屬電極的熔化；溫度過低時會導致金屬與半導體之間形成較高的勢壘，阻礙載流子的傳輸。
二、晟鼎RTP快速退火爐優(yōu)勢
針對制成GaN歐姆接觸的難點，晟鼎RTP快速退火爐提供以下解決方案：
1.精準的溫度-時間控制：
滿足GaN的熱敏感性，可減少金屬層在高溫下的擴散時長，抑制界面過度反應
2.強大的溫場管理系統(tǒng)：
良好的溫度重現(xiàn)性與溫度均勻性，避免接觸電阻分布不均
3.熱預算低，升溫速率快：
升溫速率可達150℃/s，制程范圍覆蓋200-1250℃，有效節(jié)省工藝時間和熱預算成本
4.動態(tài)氣體調控：
晟鼎RTP快速退火爐最多可配置6組工藝氣體，實現(xiàn)退火腔室內氣體的快速切換，確保退火處理的穩(wěn)定性
